Mobile:次世代ゲーム機を高性能にする新技術

2002年12月17日

　米半導体ベンチャーのMoSysは12月16日，SoC（システムオンチップ）向け高集積メモリアーキテクチャ“1T-SRAM”の新技術「1T-SRAM-Q」を発表。同社副社長兼IP部門本部長のMark-Eric Jones氏が来日し，新技術の説明を行った。

　同社の開発した“1T-SRAM”は，任天堂の「ゲームキューブ」に採用されて話題となった高性能メモリアーキテクチャ。“SRAM”と名乗っているが，実際にはメモリセルなどがDRAMと同様の構造を採用しているいわゆる「擬似SRAM」だ。

　1T-SRAMの特徴は，リフレッシュ（再書き込み）動作などDRAMの面倒な部分をユーザーから見えなくし，使いやすく高速なSRAMインタフェースを提供する点。SRAMは通常6個のトランジスタから構成されるが，DRAMは1個のトランジスタで済むため，集積度を上げやすく大容量化に向いている。つまり，“DRAM並みの大容量”と“SRAM並みの高速アクセス”を両立したのが，1T-SRAMというわけだ。

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